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所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
閲覧室	/549.8/ﾊ/	117266767	成人一般	可能

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資料詳細

タイトル	初歩から学ぶ半導体工学
タイトルカナ	ショホ カラ マナブ ハンドウタイ コウガク
著者	原 明人 ／著
著者カナ	ハラ アキト
出版者	講談社
出版年	2022.11
ページ数	8,295p
大きさ	26cm
一般件名	半導体
ISBN13桁	978-4-06-528292-2
言語	jpn
分類記号	549.8
内容紹介	工学系学部学生に向けて、半導体工学の基礎を解説。量子力学の基礎からバンド理論、pn接合、MOS構造、界面の量子化までを取り上げ、図版を豊富に用い、順を追ってていねいに解説する。章末問題も収録。
著者紹介	東北大学理学研究科物理学専攻前期博士課程修了。博士(理学)同大学。東北学院大学工学部電気電子工学科教授。

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目次

第1章 量子力学の基礎

  1.1 波の表現

  1.2 位相速度と群速度

  1.3 物質波としての電子

  1.4 不確定性原理

  1.5 シュレーディンガー方程式と波動関数

  1.6 1次元の井戸型ポテンシャル

  1.7 スピンとパウリの排他原理

  1.8 3次元の井戸型ポテンシャル

  1.9 トンネル効果

第2章 水素原子から物質へ

  2.1 水素原子

  2.2 水素分子

  2.3 s軌道あるいはp軌道からなる物質

第3章 バンド理論

  3.1 結晶の周期性と結晶構造

  3.2 金属自由電子論

  3.3 ブロッホの定理

  3.4 1次元空格子の電子構造

  3.5 1次元結晶格子のバンドギャップ

  3.6 2次元および3次元格子のバンドギャップ

  3.7 1次元の強結合近似

  3.8 2次元の強結合近似

第4章 半導体のバンド構造

  4.1 強結合近似のバンド構造

  4.2 k・p摂動(1):バンド端の詳細構造

  4.3 k・p摂動(2):面心立方格子の空格子に基づく計算

  4.4 有効質量と運動方程式

  4.5 正孔

  4.6 真性半導体のキャリア密度の温度依存性

第5章 不純物半導体

  5.1 ドナーとアクセプター

  5.2 浅い準位を有する不純物中心の有効質量近似

  5.3 ドナー不純物に束縛された電子の空間分布

  5.4 不純物半導体におけるキャリア密度の温度依存性

第6章 格子振動

  6.1 格子振動とは

  6.2 1次元単原子格子

  6.3 1次元2原子格子

  6.4 3次元の格子振動

  6.5 フォノン

  6.6 格子比熱

第7章 キャリアの輸送現象

  7.1 オームの法則

  7.2 ホール効果

  7.3 移動度の温度依存性

  7.4 ボルツマン方程式

  7.5 散乱プロセスの計算

  7.6 緩和時間の計算

第8章 光学的性質

  8.1 物質中の電磁波

  8.2 バンド間遷移

  8.3 ドナーに束縛された電子の光励起

第9章 pn接合

  9.1 pn接合の形成方法

  9.2 拡散電流

  9.3 pn接合近傍で生じる現象

  9.4 pn接合の熱平衡状態におけるバンド図

  9.5 連続の式

  9.6 順方向電流

  9.7 逆方向電流

  9.8 接合容量

  9.9 pn接合におけるトンネル効果

第10章 MOS構造

  10.1 MOS構造とは

  10.2 蓄積層・空乏層・反転層における電場分布およびポテンシャル分布

  10.3 Si表面の電子

  10.4 理想MOSの容量

  10.5 理想MOSでない場合

第11章 MOS電界効果トランジスタ

  11.1 MOS電界効果トランジスタの構造

  11.2 MOS電界効果トランジスタの動作原理(1):線形領域

  11.3 MOS電界効果トランジスタの動作原理(2):一般的な電流-電圧特性

  11.4 MOS電界効果トランジスタの動作原理(3):飽和領域

  11.5 移動度

  11.6 閾値電圧

  11.7 サブスレッショルド・スロープ

  11.8 基板バイアス効果

第12章 集積回路

  12.1 CMOSインバータの構造

  12.2 CMOSインバータにおけるpチャネル型MOSFETの動作原理

  12.3 CMOSインバータにおけるpチャネル型MOSFETの動作原理の数式を用いた考察

  12.4 CMOSインバータの動作原理の数式を用いた考察

  12.5 CMOSインバータのスイッチング特性

  12.6 スケーリング

第13章 界面の量子化

  13.1 Si‐MOS反転層電子の量子化

  13.2 擬2次元電子系の電子状態

  13.3 Si‐MOS反転層の電子状態

  13.4 磁場下における2次元電子系とエッジ状態

  13.5 ヘテロ接合

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