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半導体・電子材料分析
貸出可
日本分析化学会/編 -- 丸善出版 -- 2013.7 -- 549.8
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所蔵場所
請求記号
資料コード
資料区分
帯出区分
状態
閲覧室
/549.8/ハ/
116809484
成人一般
可能
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資料詳細
タイトル
半導体・電子材料分析
タイトルカナ
ハンドウタイ デンシ ザイリョウ ブンセキ
叢書名
試料分析講座
著者
日本分析化学会
/編
著者カナ
ニホン ブンセキ カガクカイ
出版者
丸善出版
出版年
2013.7
ページ数
21,300p
大きさ
21cm
一般件名
半導体
,
電子材料
,
分析化学
ISBN13桁
978-4-621-08700-8
言語
jpn
分類記号
549.8
内容紹介
半導体・電子材料を用いたナノ構造デバイスの研究開発、不具合診断、製造装置の条件出しなどに用いられる種々の分析法の原理・特徴を解説し、応用・分析例を示す。今後の利用が期待される分析・計測法についても取り上げる。
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目次
1 半導体・電子材料の分析
1.1 半導体・電子材料分野で用いられる分析法
1.2 半導体・電子材料分野における定量的な分析・計測と標準
2 誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)
2.1 ICP-MSの概要
2.2 ICP-MSの原理
2.3 微量金属分析における留意点
2.4 半導体関連材料の分析例
参考文献
3 誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)
3.1 ICP-AESの概要
3.2 ICP-AESの原理
3.3 ICP-AESの応用
参考文献
4 二次イオン質量分析(SIMS)
4.1 SIMSの概要
4.2 SIMSの原理
4.3 SIMSの応用
参考文献
5 蛍光X線分析(XRF)
5.1 XRFの概要
5.2 XRFによる膜厚・組成分析
5.3 全反射蛍光X線分析(TXRF)
参考文献
6 三次元アトムプローブ(APT)
6.1 APTの概要
6.2 APTの原理
6.3 局所電極型アトムプローブ
6.4 試料作製方法
6.5 APTの応用例
6.6 おわりに
参考文献
7 走査電子顕微鏡(SEM)
7.1 SEMの概要
7.2 SEMの原理
参考文献
8 測長走査電子顕微鏡(測長SEM)
8.1 測長SEMの概要
8.2 測長SEMの原理
8.3 測長SEMの応用
8.4 各種基板への対応(マスク・磁気ヘッド)
参考文献
9 透過電子顕微鏡(TEM)
9.1 TEMの概要
9.2 TEMの構造と原理
9.3 STEMの原理
9.4 微小領域分析手法
9.5 TEM/STEMの応用
参考文献
10 走査プローブ顕微鏡(SPM)
10.1 SPMの概要
10.2 半導体断面における不純物キャリヤー濃度二次元分布評価技術
10.3 SSRMによる断面におけるキャリヤー分布評価手法
10.4 SCM法と半導体微小領域のキャリヤー濃度分析への応用
参考文献
11 ラザフォード後方散乱分析(RBS)と弾性反跳検出分析(ERDA)
11.1 RBSとERDAの概要
11.2 RBSとERDAの原理
11.3 RBSとERDAの応用
11.4 HRBS/HERDAの概要
11.5 HRBS/HERDAの原理
11.6 HRBS/HERDAの応用
参考文献
12 X線反射率
12.1 X線反射率の概要
12.2 X線反射率の原理
12.3 X線反射率データの解析
12.4 測定装置と測定方法
12.5 X線反射率の応用
参考文献
13 陽電子消滅
13.1 陽電子消滅の概要
13.2 陽電子消滅の原理
13.3 陽電子消滅の応用
参考文献
14 オージェ電子分光法(AES)とX線光電子分光法(XPS)
14.1 AESとXPSの概要
14.2 AESとXPSの原理と比較
14.3 AESとXPSの応用
14.4 まとめ
参考文献
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