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所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
閲覧室	/428.8/ｶ/	115972473	成人一般	可能

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資料詳細

タイトル	二次元電子と磁場
タイトルカナ	ニジゲン デンシ ト ジバ
叢書名	朝倉物性物理シリーズ
著者	川路 紳治 ／著
著者カナ	カワジ シンジ
出版者	朝倉書店
出版年	2007.9
ページ数	7,162p
大きさ	22cm
一般件名	半導体
ISBN13桁	978-4-254-13726-2
言語	jpn
分類記号	428.8
内容紹介	半導体表面あるいは界面の電気伝導層の伝導電子である二次元電子をとりあげ、その誕生からアンダーソン局在と量子ホール効果の発見および諸現象について詳細に解説する。
著者紹介	1932年北海道生まれ。北海道大学大学院理学研究科博士課程修了。学習院大学名誉教授。理学博士。

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目次

1.序章

  1.1 表面電気伝導と表面散乱

  1.2 半導体界面量子効果と二次元電子

  1.3 二次元電子の弱局在と負磁気抵抗

  1.4 強磁場中の二次元電子:量子ホール効果

2.二次元電子

  2.1 二次元電子

  2.2 二次元電子の実現可能性

  2.3 半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子

  2.4 シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT

  2.5 半導体表面空間電荷層:空乏層

  2.6 シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位

  2.7 シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性

  2.8 シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果

3.二次元電子のアンダーソン局在

  3.1 二次元ドナーと二次元伝導帯

  3.2 二次元電子の低温における電気伝導

  3.3 アンダーソン局在

  3.4 アンダーソン局在のスケーリング理論

  3.5 二次元電子における弱局在効果

  3.6 有限温度における二次元電子の弱局在

  3.7 二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗

  3.8 負磁気抵抗による電子温度の測定と電子-格子相互作用

  3.9 GaAsヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展

4.強磁場中の二次元電子の電気伝導

  4.1 磁場中の二次元電子による電気伝導

  4.2 強磁場中の二次元電子

  4.3 強磁場中の二次元電子の対角伝導率

  4.4 強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在

  4.5 多体効果によるスピン分離の拡大

  4.6 谷分離

  4.7 強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定

5.量子ホール効果

  5.1 電子局在と量子ホール効果

  5.2 量子化ホール抵抗の高精度測定

  5.3 量子ホール効果による抵抗標準RK-90と基礎物理定数

  5.4 1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定

  5.5 量子ホール効果の理論的考察

  5.6 量子ホール効果に関連する実験

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